Pat
J-GLOBAL ID：200903058505246130

半導体レーザ素子

Inventor：
内藤 由美

About 内藤 由美

, 
藤本 毅

About 藤本 毅


Applicant, Patent owner：
三井石油化学工業株式会社

About 三井石油化学工業株式会社


Agent (1)： 西教 圭一郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996183700
Publication number (International publication number)：1997092936
Application date： Jul. 12, 1996
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：
【要約】【目的】 キャリアブロック層のポテンシャルバリアを低減し、駆動電圧の低減化が可能で信頼性の高い半導体レーザ素子を提供する。【構成】 半導体基板40の上に、順次、第2n型クラッド層31、第1n型クラッド層32、n型キャリアブロック層33、二重量子井戸構造を持つ活性層34、Al組成比が層厚方向に沿って台形型に分布するp型キャリアブロック層35、第1p型クラッド層36、第2p型クラッド層37、およびp型コンタクト層39がそれぞれ形成されている。p型コンタクト層39には、電流狭窄層が中央のストライプ部を両側から挟むように埋め込まれている。
Claim (excerpt)：
活性層の両側にクラッド層が設けられ、前記活性層および前記クラッド層の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有するキャリアブロック層が前記活性層に近接して設けられ、前記キャリアブロック層において、層内から隣りの層との接合面に向う層厚方向に沿って禁制帯幅が減少する領域が形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/203
FI (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/203 M
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
  • 半導体発光装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-346603   Applicant：富士通株式会社
  • 特開昭63-188986
  • 半導体レーザ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-356621   Applicant：三菱電機株式会社
Show all
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM