半導体板形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅村皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995010980
Publication number (International publication number)：1995254690
Application date： Jan. 26, 1995
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】支持体上へ特定の寸法と厚さとを有する少なくとも1個の半導体板を配置するための方法を得る。【構成】半導体基板の1つの面に対して、そこにおいて基板を剥離させるための面に沿って微小気泡の膜を生成するように不活性ガスまたは水素ガスイオンイオンを衝撃すること、前記基板の前記表面と支持体とを一体化すること、配置すべき板に対応する基板表面の領域を、支持体を通してレーザービームで照射し、前記微小気泡の膜の対応する領域において、板の剥離を引き起こし、また板の支持体への付着を強化すること、前記板を基板から引き剥がし、それを支持体上へ保持するように前記基板を前記支持体から分離すること、の工程を含む。

Claim (excerpt)：

支持体上へ特定の寸法と厚さとを有する少なくとも1個の半導体板を設置するための方法であって、半導体基板の1つの面に対して、そこにおいて基板を剥離させるための面に沿って微小気泡の膜を生成するようにイオンを衝撃することであって、その打ち込みイオンエネルギーは前記半導体板の特定の厚さに対応する深さに微小気泡の膜を得ることのできる大きさであり、また前記イオンは不活性ガスイオンまたは水素ガスイオンから選ばれたものであるイオン衝撃工程、前記基板の前記表面と支持体とを一体化すること、配置すべき板に対応する基板表面の領域を、支持体を通してレーザービームで照射することであって、この支持体を通るビームによって運ばれる照射エネルギーが、前記微小気泡の膜の対応する領域において、板の剥離を引き起こし、また板の支持体への付着を強化するのに十分な温度をもたらす強さであるようなレーザービーム照射工程、前記板を基板から引き剥がし、それを支持体上へ保持するように前記基板を前記支持体から分離すること、の工程を含む方法

IPC (3)：

H01L 27/12 , H01L 21/265 , H01L 21/268

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

薄い半導体材料フィルムの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-246594 Applicant：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク
特開昭58-030145

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