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J-GLOBAL ID：200903058527448917

半導体部材及びその製造方法

Inventor： 徳満 洋司 ,  只友 一行 ,  星野 勝之 ,  田口 常正 ,  久保 秀一
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社 ,  国立大学法人山口大学
Agent (4)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006002971
Publication number (International publication number)：2007184503
Application date： Jan. 10, 2006
Publication date： Jul. 19, 2007
Summary：

【課題】凹凸を有する基板の凸部からの結晶の成長と凹部からの結晶の成長とが交差することを防止して、表面の転位密度が低い半導体部材を得る。【解決手段】この製造方法は、凹部30r及び凸部30pを有する基板30を準備する準備工程と、凸部30pから少なくとも横方向に第1半導体31を成長させる第1成長工程と、第1半導体31の上に第2半導体32を成長させて第2半導体32からなるファセットを形成する第2成長工程と、ファセットから少なくとも横方向に第3半導体33を成長させる第3成長工程とを含む。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体部材の製造方法であって、 凹部及び凸部を有する基板を準備する準備工程と、 前記凸部から少なくとも横方向に第1半導体を成長させる第1成長工程と、 前記第1半導体の上に第2半導体を成長させて前記第2半導体からなるファセットを形成する第2成長工程と、 前記ファセットから少なくとも横方向に第3半導体を成長させる第3成長工程と、 を含むことを特徴とする半導体部材の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (3)：

H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/343 610

F-Term (18)：

5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DB09 ,  5F173AA08 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AK08 ,  5F173AP05 ,  5F173AP19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

• 3-5族化合物半導体とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-082240   Applicant：住友化学工業株式会社
• 3-5族化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-270091   Applicant：住友化学工業株式会社
• 半導体素子、エピタキシャル基板、半導体素子の製造方法、及びエピタキシャル基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-314768   Applicant：日本碍子株式会社
• 特許第3556916号公報
  
• 特許第3441415号公報
  
• 特許第3471700号公報
  
• 半導体基材及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-193119   Applicant：三菱電線工業株式会社