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J-GLOBAL ID：200903058540106707

高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 原田 裕次 ,  渡辺 淳 ,  畠山 潤 ,  河合 義夫 ,  笹子 勝 ,  遠藤 政孝 ,  岸村 眞治 ,  大谷 充孝 ,  宮澤 覚 ,  堤 憲太郎 ,  前田 一彦
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社 ,  松下電器産業株式会社 ,  セントラル硝子株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000383217
Publication number (International publication number)：2002179731
Application date： Dec. 18, 2000
Publication date： Jun. 26, 2002
Summary：

【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で示される基を有する高分子化合物。【化1】(式中R1、R2は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、又はフッ素化されたアルキル基であり、R1、R2の少なくとも1つはフッ素を含有する。Rは炭素数3〜20の少なくとも1つの環により形成される環状アルキル基を示す。)【効果】 本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特に170nm以下の波長における感度が優れているうえに、エステル側鎖の環状アルキル基の導入によりプラズマエッチング耐性が向上し、それと同時に優れた解像性を有することがわかった。従って本発明のレジスト材料は、これらの特性により、特にF2エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となりうるもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適である。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される基を有する高分子化合物。【化1】(式中R1、R2は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、又はフッ素化されたアルキル基であり、R1、R2の少なくとも1つはフッ素を含有する。Rは炭素数3〜20の少なくとも1つの環により形成される環状アルキル基を示す。)

IPC (9)：

C08F 20/16 ,  C08F 22/18 ,  C08F 22/40 ,  C08F 32/08 ,  C08K 5/00 ,  C08L 33/06 ,  C08L 35/02 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (9)：

C08F 20/16 ,  C08F 22/18 ,  C08F 22/40 ,  C08F 32/08 ,  C08K 5/00 ,  C08L 33/06 ,  C08L 35/02 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (69)：

2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BF02 ,  2H025BF11 ,  2H025BG00 ,  2H025CB43 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J002BG041 ,  4J002BG051 ,  4J002BG071 ,  4J002EB116 ,  4J002EB146 ,  4J002EJ038 ,  4J002EJ058 ,  4J002EJ068 ,  4J002EN027 ,  4J002EN067 ,  4J002EN107 ,  4J002EN117 ,  4J002EU137 ,  4J002EV216 ,  4J002EV296 ,  4J002GP03 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08T ,  4J100AL46S ,  4J100AM21T ,  4J100AM47R ,  4J100AR09Q ,  4J100BA02Q ,  4J100BA02R ,  4J100BA02S ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA03S ,  4J100BA03T ,  4J100BA16H ,  4J100BA20Q ,  4J100BA20R ,  4J100BA20S ,  4J100BA40T ,  4J100BA43S ,  4J100BB18P ,  4J100BC03P ,  4J100BC09P ,  4J100BC26P ,  4J100BC26T ,  4J100BC28P ,  4J100BC43Q ,  4J100BC43R ,  4J100BC53T ,  4J100BC60Q ,  4J100BC60R ,  4J100BC60S ,  4J100BC60T ,  4J100BC65T ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100HA08 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平2-202904
  
• 化学増幅型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-332641   Applicant：住友化学工業株式会社