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J-GLOBAL ID：200903058558670529

超伝導装置

Inventor： 仲川 博 ,  黒沢 格 ,  高田 進 ,  小柏 俊典
Applicant, Patent owner： 工業技術院長 ,  田中電子工業株式会社
Agent (2)： 早川 政名 ,  早川 政名
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991260405
Publication number (International publication number)：1993102538
Application date： Oct. 08, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】熱圧着工程におけるパッドと半田バンプ間の熱拡散を抑制することにより、超伝導素子と半田バンプとの接合強度を高めるとともに超伝導コンタクトを確保すること【構成】超伝導素子のNb 電極上に、極薄膜からなるパッドを形成し該パッドに、Pb を主要元素とし超伝導性を有する半田バンプを熱圧着により接合させることによって、前記Nb 電極と外部リードとを接続せしめる超伝導装置において、前記パッドを厚さ2〜 200nmのPd 極薄膜としたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

超伝導素子のNb 電極上に、極薄膜からなるパッドを形成し該パッドに、Pb を主要元素とし超伝導性を有する半田バンプを熱圧着により接合させることによって、前記Nb 電極と外部リードとを接続せしめる超伝導装置において、前記パッドを厚さ2〜 200nmのPd 極薄膜としたことを特徴とする超伝導装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-012941
  
• 特開昭58-207686
  
• 特開平2-021628