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J-GLOBAL ID：200903058619307449
深さ方向組成分布分析方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998049695
Publication number (International publication number)：1999248656
Application date： Mar. 02, 1998
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、急峻な組成変化を持つステップ関数構造を得ることにより、SIMSを用いた場合に半導体基板中の不純物等の真の組成プロファイルを精度良く推定する方法を提供することを目的とする。【解決手段】 組成の異なる第1の試料と第2の試料とを常温接合して接合試料を形成し、二次イオン質量分析法を用いて目的物質の接合界面における組成プロファイルを得、これから分解能関数を導出し、目的物質を含む分析試料から目的物質の測定組成プロファイルを得た後に、前記の導出された分解能関数を用いて、前記分析試料中の目的物質の測定組成プロファイルをデコンボリューションして真の組成プロファイルを推定する。
Claim (excerpt)：
組成の異なる第1の試料と第2の試料とを接合して接合試料を形成する工程と、接合試料をその一方側より薄膜化する工程と、接合試料の薄膜化された側から一次イオンを照射し二次イオン質量分析法を用いて、前記試料のどちらか一方に含まれる目的物質の接合界面における組成プロファイルを得る工程と、得られた組成プロファイルを微分することによって目的物質の分解能関数を導出する工程と、前記目的物質を含む分析試料に、一次イオンを照射し二次イオン質量分析法により目的物質の測定組成プロファイルを得る工程と、前記の導出された分解能関数を用いて、前記分析試料中の目的物質の測定組成プロファイルをデコンボリューションして真の組成プロファイルを推定する工程とを有することを特徴とする深さ方向組成分布分析方法。
IPC (2)：
FI (2)：
G01N 23/225
, H01L 21/66 Q
