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J-GLOBAL ID：200903058629391103

半導体レーザ

Inventor： 西川 祐司
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994224342
Publication number (International publication number)：1996088435
Application date： Sep. 20, 1994
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザに関し、活性層を加工することなく、且つ、簡単な工程に依って、素子分離を実現できるようにする。【構成】 半導体基板11上に積層形成された面発光レーザに於けるn型側のクラッド層13、活性層14、p型側のクラッド層15などを含む所要各半導体層と、クラッド層15の表面を覆い且つレーザ光出射用兼電流路用の穴をもつ酸化シリコン層16と、酸化シリコン層16の穴内に露出されたクラッド層15の表面上に形成されたp型側のクラッド層17を含む所要半導体層とを備える。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に積層形成された面発光レーザに於ける一導電型側クラッド層及び活性層及び反対導電型側クラッド層を含む所要各半導体層と、前記積層形成された半導体層の表面を覆い且つレーザ光出射用兼電流路用の穴をもつ絶縁層と、前記絶縁層の穴内に在る前記半導体層の表面上に形成された反対導電型側クラッド層を含む所要半導体層とを備えてなることを特徴とする半導体レーザ。