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J-GLOBAL ID：200903058630822312

半導体基板用洗浄液及び洗浄方法

Inventor： 河 憲載 ,  ▲鄭▼ 大赫 ,  黄 寅▲大▼ ,  高 ▲庸▼▲濬▼
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 服部 雅紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000285416
Publication number (International publication number)：2001144064
Application date： Sep. 20, 2000
Publication date： May. 25, 2001
Summary：

【要約】【課題】 不純物のドープされた絶縁膜を損傷させず、エッチング副産物またはエッチングにより損傷されたシリコン膜などを選択的に除去することが可能な半導体基板用洗浄液及び洗浄方法を提供する。【解決手段】 半導体基板用洗浄液は、フッ化水素0.08〜0.1重量%、フッ化アンモニウム0.5〜0.6重量%、過酸化水素24.9〜49.7重量%及び水49.6〜74.5重量%を含む。洗浄液は、不純物のドープされた層間絶縁膜60に対する損傷は最小化しながら、ソース/ドレイン領域40上に残留するエッチング副産物及び損傷されたシリコン基板10の表面を選択的に除去するため、SAC70間に一定の距離A'を保つことができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板から汚染物質を除去するための洗浄液であって、フッ化水素0.08〜0.1重量%と、フッ化アンモニウム0.5〜0.6重量%と、過酸化水素24.9〜49.7重量%と、水49.6〜74.5重量%と、を含むことを特徴とする半導体基板用洗浄液。

IPC (6)：

H01L 21/304 647 ,  C11D 7/08 ,  C11D 7/10 ,  C11D 7/18 ,  C11D 7/60 ,  C11D 17/08

FI (6)：

H01L 21/304 647 Z ,  C11D 7/08 ,  C11D 7/10 ,  C11D 7/18 ,  C11D 7/60 ,  C11D 17/08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置用洗浄液及びそれを用いた半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-342580   Applicant：森田化学工業株式会社, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
• 洗浄液およびその洗浄液を用いた洗浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-250957   Applicant：ローム株式会社