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J-GLOBAL ID：200903058632503915

電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 黒田 正行 ,  上田 哲三 ,  村田 智洋
Applicant, Patent owner： パナソニック株式会社
Agent (11)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007282731
Publication number (International publication number)：2009111204
Application date： Oct. 31, 2007
Publication date： May. 21, 2009
Summary：

【課題】シートキャリア濃度を向上させると共に、シートキャリア濃度の向上効果を有効に利用する電界効果トランジスタを実現できるようにする。【解決手段】電界効果トランジスタは、基板11の上に形成された第1の窒化物半導体層13と、第1の窒化物半導体層13の上に形成され、第1の窒化物半導体層13と比べてバンドギャップが大きい第2の窒化物半導体層14と、第2の窒化物半導体層14の上に形成された結晶性の窒化シリコンからなる第1の絶縁膜15と、第1の絶縁膜15の上に形成された第2の絶縁膜16とを備えている。第2の絶縁膜16の上には、ゲート電極21が形成されている。ゲート電極21の両側方にはソース電極22及びドレイン電極22が形成されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板の上に形成された第1の窒化物半導体層と、 前記第1の窒化物半導体層の上に形成され、前記第1の窒化物半導体層と比べてバンドギャップが大きい第2の窒化物半導体層と、 前記第2の窒化物半導体層の上に形成され、結晶性の窒化シリコンからなる第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜の上に形成され、非晶質の第2の絶縁膜と、 前記第2の絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極の両側方に形成されたソース電極及びドレイン電極とを備えていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (6)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/318

FI (5)：

H01L29/80 H ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/283 B ,  H01L21/318 B ,  H01L21/318 M

F-Term (50)：

4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104EE03 ,  4M104EE11 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF04 ,  4M104FF07 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  4M104GG12 ,  4M104HH20 ,  5F058BA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BB01 ,  5F058BC08 ,  5F058BD01 ,  5F058BD10 ,  5F058BE10 ,  5F058BF02 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BF36 ,  5F058BJ01 ,  5F102FA02 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GN08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS04 ,  5F102GT03 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102GV09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-362426   Applicant：日本電信電話株式会社