半導体レーザ装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997305484
Publication number (International publication number)：1999145562
Application date： Nov. 07, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】ダイボンディング工程時に、アライメントずれが発生せず、さらには、ショートも防止される、片面に正負電極が形成されるレーザチップを用いた、半導体レーザ装置を得る。【解決手段】片面に複数の電極203,204を有する半導体レーザチップ200が、該各電極に対向する導電膜パターン102,103を積載面上に有したマウント部材101に、積載されて構成される半導体レーザ装置であって、各電極と、これに対向する導電膜パターンとが、それぞれハンダ104,105で接続され、該半導体レーザチップが、該マウント部材に、樹脂106を含む絶縁体により固定されるように構成する。

Claim (excerpt)：

片面に複数の電極を有する半導体レーザチップが、該各電極に対向する導電膜パターンを積載面上に有したマウント部材に、積載されて構成される半導体レーザ装置であって、各電極と、これに対向する導電膜パターンとが、それぞれハンダで接続され、該半導体レーザチップが、該マウント部材に、樹脂を含む絶縁体により固定されていることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

垂直共振器型面発光レーザを有する光モジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-246333 Applicant：松下電器産業株式会社
光半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-245207 Applicant：日本電気株式会社
特開昭63-143890

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