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J-GLOBAL ID：200903058642195585

希土類イオン・アルカリ金属添加型ガラス膜付基板及びそれを用いた導波路とその製造方法

Inventor： 中沢 正隆 ,  井本 克之
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社 ,  日本電信電話株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992272938
Publication number (International publication number)：1994123816
Application date： Oct. 12, 1992
Publication date： May. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】 比屈折率差が大きく、蛍光効率が高くとれ、軟化点温度が低く、安価な希土類イオン・アルカリ金属添加型ガラス膜付基板及びそれを用いた導波路とその製造方法を提供する。【構成】 低屈折率層2を有する基板1上にSiO2 系ガラス多孔質膜3を形成し、多孔質膜3中に希土類元素を含んだアルカリ金属シリケートの水溶液MeO・nSiO2 ・xH2 O(Me;アルカリ金属)を含浸させ、その後、乾燥、焼結させてガラス膜5を形成した。

Claim (excerpt)：

低屈折率層を有する基板上にSiO2 系ガラス多孔質膜を形成し、該多孔質膜中に希土類元素を含んだアルカリ金属シリケートの水溶液MeO・nSiO2 ・xH2 O(Me;アルカリ金属)を含浸させ、その後、乾燥、焼結させてガラス膜を形成したことを特徴とする希土類イオン・アルカリ金属添加型ガラス膜付基板。

IPC (2)：

G02B 6/12 ,  C03C 21/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平3-192206