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J-GLOBAL ID：200903058648579059

冷陰極およびその製造方法

Inventor： 原田 昿嗣
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994253569
Publication number (International publication number)：1996115653
Application date： Oct. 19, 1994
Publication date： May. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】 陰極を流れる電流の制御性が良好かつ、構造が簡単で製作容易な冷陰極を得ることを目的とし、さらにこの冷陰極に適した製造方法を提供することを目的とする。【構成】 P型シリコン基板11の主面上にP型シリコン基板11と一体で形成された円錐台形の基体部22Bが設けられ、基体部22Bの上面にはN型シリコンで形成されたコーン形状の先端部22Tが設けられ、基体部22Bと先端部22Tとでコーン形状の陰極22が構成されている。また、P型シリコン基板11の上には陰極22を取り囲むように、シリコン酸化膜13、ゲート電極14が順に形成されて積層構造をなしている。【効果】 電流を制限するための構成を陰極内部に備え、陰極単体で独立して制御性良く電流を制限でき、かつ、構造が簡単で製作容易な冷陰極を得ることができる。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板の主面上に突出して、該半導体基板と一体で形成され、その上部に他の層が形成される基体部と、前記基体部の上に形成され、鋭角な先端を有する第2導電型の先端部とからなり、前記基体部と前記先端部との接合面がPN接合となっている陰極を備えることを特徴とする冷陰極。

IPC (2)：

H01J 1/30 ,  H01J 9/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体電子放出素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-037898   Applicant：右高正俊, 伊勢電子工業株式会社
• 特開昭60-180040
  
• 特開平1-128332