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J-GLOBAL ID：200903058652066813

GaN系半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： 木戸口 勲 ,  石橋 明彦 ,  菅原 岳 ,  辻村 歩 ,  宮永 良子 ,  粂 雅博 ,  伴 雄三郎
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000025929
Publication number (International publication number)：2001217503
Application date： Feb. 03, 2000
Publication date： Aug. 10, 2001
Summary：

【要約】【課題】 信頼性の高いGaN系半導体レーザを歩留まりよく作製する。【解決手段】 基板上にn-AlGaNクラッド層まで堆積した後、該n-AlGaNクラッド層をリッジ状に加工し、リッジ側面とリセス底部とをSiNxで被覆し、n-AlGaNクラッド層のC面を種結晶としてn-光ガイド層、活性層、p-光ガイド層、pクラッド層、p-GaN層を成長させて、GaN系半導体レーザを作製することで、信頼性の高い単一横モードのレーザを歩留まりよく作製できる。

Claim (excerpt)：

GaN系結晶をリッジ状に加工する工程と、リッジ側面とリセス底部とを非晶質絶縁膜で被覆する工程と、前記GaN系結晶の表面に露出した部分を種結晶として活性層構造を積層する工程と、前記種結晶の上部に電極を形成する工程を有することを特徴とするGaN系半導体発光素子の製造方法。

IPC (2)：

H01S 5/22 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 5/22 ,  H01L 33/00 C

F-Term (16)：

5F041AA11 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F073AA13 ,  5F073AA42 ,  5F073AA45 ,  5F073AA71 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB04 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24