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J-GLOBAL ID：200903058664653684

MCM用シリコン基板

Inventor： 渕 澤 尚 行 ,  荒 木 昌 二 郎
Applicant, Patent owner： 横河電機株式会社
Agent (1)： 渡辺 正康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996236584
Publication number (International publication number)：1998084082
Application date： Sep. 06, 1996
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】先に説明したSi基板中のデカップリングコンデンサの単位面積当たりの静電容量を増加させ、小さい面積で必要な静電容量を確保することを目的とする。【解決手段】一つの面が二酸化珪素からなる絶縁層で覆われたシリコン基板と、この絶縁層の上に形成したポリシリコンからなる第1導電体層と、この第1導電体層の上に形成した窒化珪素膜(Si3N4)からなる第1誘電体層と、この第1誘電体層の上に形成したポリシリコンからなる第2導電体層と、この第2導電体層の上に形成した窒化珪素膜からなる第2誘電体層と、この第2誘電体層の上に形成した上部電極からなり、上部電極と第1導電体層とを接続することにより、上部電極に生じるデカップリングコンデンサの単位面積あたりの静電容量を増加させることを特徴とするシリコン基板。

Claim (excerpt)：

一つの面が二酸化珪素からなる絶縁層で覆われたシリコン基板と、この絶縁層の上に形成したポリシリコンからなる第1導電体層と、この第1導電体層の上に形成した窒化珪素膜からなる第1誘電体層と、この第1誘電体層の上に形成したポリシリコンからなる第2導電体層と、この第2導電体層の上に形成した窒化珪素膜からなる第2誘電体層と、この第2誘電体層の上に形成した上部電極から構成し、上部電極と第1導電体層と接続することにより上部電極に生じるデカップリングコンデンサの単位面積あたりの静電容量を増加させることを特徴とするMCM用シリコン基板。

IPC (3)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 23/12

FI (2)：

H01L 27/04 C ,  H01L 23/12 N