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J-GLOBAL ID:200903058671053218
化学マイクロマシン加工マイクロセンサー
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
大島 陽一
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2008534689
Publication number (International publication number):2009511880
Application date: Oct. 05, 2006
Publication date: Mar. 19, 2009
Summary:
【課題】cMUT(容量型マイクロマシン加工トランスデューサ)技術に基づくセンサーを提供する。【解決手段】本発明に係るセンサーは、複数のセンサー素子のアレイを含むが、センサー素子を1つのみ含んでもよい。センサー素子は、支持フレームによって基材上に支持された機能性膜を含む。これらの機能性膜、支持プレーム、及び基材は、共に真空ギャップを形成する。センサー素子は、このセンサー素子を開回路共振周波数状態下又はその付近で作動させるように構成された電気回路に接続している。機能性膜の機械的共振周波数は、膜への物質の結合に応答する。したがって、センサーは、センサー素子の機械的共振周波数に応答するセンサー出力を提供する検出器をも含む。【選択図】図4
Claim (excerpt):
複数のセンサー素子を含むセンサーであって、
それぞれの前記センサー素子は、
(a)第1の電極を含む機能性膜と、
(b)前記第1電極と共にコンデンサを形成する第2の電極を含む基材と、
(c)前記機能性膜及び前記基材と共に真空ギャップを形成する支持フレームと、
(d)前記コンデンサを含み、且つ前記センサー素子の機械的共振周波数に応答するセンサー出力を提供する電気回路とを含み、
前記センサー素子の前記機械的共振周波数は、前記機能性膜への物質の結合に応答し、
前記電気回路は、開回路共振状態下又はそれに近い状態で前記センサー素子を作動させるように構成されていることを特徴とするセンサー。
IPC (3):
G01H 13/00
, G01N 27/22
, G01N 27/72
FI (3):
G01H13/00
, G01N27/22 Z
, G01N27/72
F-Term (22):
2G053AA01
, 2G053AB01
, 2G053BA05
, 2G053BA06
, 2G053BA08
, 2G053BC14
, 2G053CA03
, 2G053CA18
, 2G053CA19
, 2G053CB13
, 2G060AA01
, 2G060AA05
, 2G060AA08
, 2G060AA15
, 2G060AE17
, 2G060AE19
, 2G060AE20
, 2G060AF10
, 2G060AG11
, 2G060HC10
, 2G064AA13
, 2G064AB11
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