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J-GLOBAL ID：200903058715217884

半導体レーザ装置

Inventor： 笹沼 克信 ,  斎藤 真司 ,  波多腰 玄一 ,  西尾 譲司 ,  小野村 正明
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998045292
Publication number (International publication number)：1999243251
Application date： Feb. 26, 1998
Publication date： Sep. 07, 1999
Summary：

【要約】【課題】レーザ発光の垂直方向の遠視野像を単峰化することができ、低いしきい値電流密度で低電圧動作する高信頼性GaN系レーザ装置を提供する。【解決手段】本発明のGaN系レーザ装置は、活性層をガイド層で挟み、ガイド層をクラッド層で挟んだ構造において、従来のAlGaNクラッド層の代わりにInGaN又はGaNをクラッド層として用いることにより形成される。光導波路の実効屈折率の値がGaNコンタクト層の屈折率の値に比べて大きくなるようにすれば、遠視野像が単峰化され光ディスク用光源として優れたGaN系レーザ装置を得ることができる。さらに活性層に注入されたキャリアがInGaN又はGaNからなるガイド層にオーバーフローするのを防止するために、活性層とガイド層との間等にAlGaNからなる薄膜障壁層を設ける構造が示される。

Claim (excerpt)：

少なくとも活性層とガイド層とクラッド層とを具備するGaN系化合物半導体からなる半導体レーザ装置において、少なくともIn組成x及びAl組成yのいずれかの値が異なる2種のInx Aly Ga1-x-y N(1≧x≧y≧0、1≧x+y≧0)の層が交互に積層された多量子井戸構造を有する活性層と、Inz Ga1-z N(1>z>0)からなるガイド層と、Inu Alv Ga1-u-v N(1>u≧v≧0、1>u+v>0)からなるクラッド層と、を含むことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-153814   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-311272   Applicant：日亜化学工業株式会社