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J-GLOBAL ID：200903058729435507

MISトランジスタの製造方法

Inventor： 長谷部 裕治
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 伊藤 洋二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996303278
Publication number (International publication number)：1998144919
Application date： Nov. 14, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】 金属シリサイド膜とソース、ドレイン層の界面に発生する応力を緩和させることにより、ソース、ドレイン層と金属シリサイド膜の界面における凹凸の発生を防止し、リーク特性の良好なMISトランジスタを製造する。【解決手段】 ソース、ドレイン層8の上面にコバルト膜11を形成し、このコバルト膜11の上面に、応力緩和層として、チタン膜12を形成する。そして、熱処理を施して、コバルト膜11をシリサイド化反応させて、コバルトシリサイド膜8aにする。このとき、チタン膜を形成することにより、ソース、ドレイン層8とコバルトシリサイド膜8aの界面に発生する圧縮応力に対して、逆方向となる引っ張り応力を、その後形成されるコバルトシリサイド膜8aに及ぼすことができるため、前記圧縮応力を緩和することができる。

Claim (excerpt)：

基板(1)の上面に、ゲート絶縁膜(4)を介してゲート電極(5)を形成する工程と、前記ゲート電極(5)の両側にソース、ドレイン層(8)を形成する工程と、前記ソース、ドレイン層(8)の上面に高融点金属膜(12)を形成する工程と、前記高融点金属膜(12)の上面に、応力緩和層(13)を形成する工程と、熱処理をして、前記高融点金属膜(12)をシリサイド化反応させて、金属シリサイド膜(8a)を形成する工程とを有し、前記金属シリサイド膜(8a)を形成する工程は、前記応力緩和層(13)にて、前記ソース、ドレイン層(8)と前記金属シリサイド膜(8a)の界面に発生する応力を緩和しつつ前記シリサイド化反応させることを特徴とするMISトンジスタの製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 301

FI (2)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/28 301 T