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J-GLOBAL ID：200903058738311756

不揮発性半導体装置

Inventor： 中島 盛義
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992263984
Publication number (International publication number)：1993211338
Application date： Oct. 02, 1992
Publication date： Aug. 20, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高集積化が可能でかつ電力消費の少ないEEPROMを提供する。【構成】 EEPROMは、P型シリコン基板20の主表面上に形成されたソース・ドレイン領域41,42とその間に形成された1対のメモリトランジスタ43,44とメモリトランジスタ43,44の間であってかつP型半導体基板の主表面上に形成された選択トランジスタ3を含む。それぞれのメモリトランジスタ43,44は、コントロールゲート7a,7bとフローティングゲート15a,15bとを含む。データの書込みおよび消去は、トンネル領域8a,8bを通してF-Nトンネル現象によって行なわれる。

Claim (excerpt)：

主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板の主表面上に間隔を隔てて形成された、それぞれがフローティングゲートおよびコントロールゲートを含む1対のメモリトランジスタと、前記主表面上でかつ前記間隔の間に形成された前記メモリトランジスタを選択するための選択トランジスタとを含む、不揮発性半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434