Pat

J-GLOBAL ID：200903058745651694

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 岡部 好文 ,  片岡 光浩 ,  戸松 裕
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996108142
Publication number (International publication number)：1997293861
Application date： Apr. 26, 1996
Publication date： Nov. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】パンチスルーの回避とオン抵抗の低減との両立を図ることができるようにする。【解決手段】半導体基板1の表面側にはP型エピタキシャル層3が形成され、P型エピタキシャル層3の表層部に二重拡散によるN型の深いチャネル形成用不純物領域4およびP型の浅いソース領域5が形成されている。半導体基板1には溝6が形成され、溝6内においてソース領域5とP型エピタキシャル層3との間の表面部にゲート酸化膜7を介してポリシリコンゲート電極8が配置されている。ソース領域5の表層部に、ソース領域5の不純物濃度よりも高濃度なP+ 型領域11が形成され、P+ 型領域11に接するようにソース電極14が配置されている。半導体基板1の裏面にはドレイン電極15が形成されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面側に形成された第1導電型の半導体領域の表層部に二重拡散による第2導電型の深いチャネル形成用不純物領域および第1導電型の浅いソース領域が形成されるとともに、前記第1導電型の半導体領域の表面部にゲート絶縁膜を介してゲート電極が配置され、少なくとも前記ソース領域、前記第1導電型の半導体領域と前記ソース領域との間に形成されたチャネル形成領域、および前記第1導電型の半導体領域を通してソース・ドレイン間が導通可能な半導体装置であって、前記ソース領域の表層部に、当該ソース領域の不純物濃度よりも高濃度な第1導電型の高濃度領域を形成し、当該領域に接するようにソース電極を配置したことを特徴とする半導体装置。

FI (2)：

H01L 29/78 652 B ,  H01L 29/78 653 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-277436   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 特開昭60-028271
  
• 特開平3-195064
  
• 特開平4-082275
  
• 特開平4-346233