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J-GLOBAL ID：200903058749619078
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992077942
Publication number (International publication number)：1993090293
Application date： Mar. 31, 1992
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：
【要約】【目的】 NiSiを使ってサリサイド化することにより、高温な熱処理が不要となるため、低温プロセスに適し、かつ接合を浅くできるので微細構造を可能賭する。【構成】 素子分離領域3を有するシリコン基板1と、このシリコン基板1の表面にゲート絶縁膜4を介して形成されたポリシリコンゲート電極5と、このポリシリコンゲート電極5に接した酸化膜6と、この酸化膜6に接して設けられた側壁7と、ポリシリコンゲート電極5に対して自己整合的に設けられたソース・ドレイン領域8とを備え、これらソース・ドレイン領域8およびポリシリコンゲート電極5上に遷移8族の金属であるNiを用いてモノシリサイドを形成する。【効果】 低温プロセスに適しており、浅い接合が可能なため、微細構造とすることができる。這い上がり現象が起こらないため、ゲート・ソース間あるいはゲート・ドレイン間のショート不良が生じない。
Claim (excerpt)：
素子分離領域を有する半導体基板と、この半導体基板表面にゲート絶縁膜を介して形成されたポリシリコンゲート電極と、このポリシリコンゲート電極に接した酸化膜と、この酸化膜に接して設けられた側壁と、前記ポリシリコンゲート電極に対して自己整合的に設けられたソース・ドレイン領域とを備え、これらソース・ドレイン領域およびポリシリコンゲート電極上に遷移8族の金属のモノシリサイドを形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 27/092
, H01L 29/46
H01L 29/78 301 P
, H01L 27/08 321 F
, H01L 29/78 301 X
Cited by examiner (9)
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