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J-GLOBAL ID:200903058765550932

強誘電体素子とその製造方法、強誘電体メモリ、及びインクジェット式記録ヘッド

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 柳田 征史 ,  佐久間 剛
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006173308
Publication number (International publication number):2008004782
Application date: Jun. 23, 2006
Publication date: Jan. 10, 2008
Summary:
【課題】強誘電体素子の製造方法において、高価な基板を用いることなく、また複雑なプロセスを経ることなく、比較的低温で、結晶性及び結晶配向性に優れた強誘電体膜を成膜する。【解決手段】Zrを含むシード層31と下部電極32とを順次成膜する工程(A)と、シード層31に含まれるZrを拡散させて、該元素を下部電極32の表面に析出させる工程(B)と、下部電極32上に強誘電体膜33を成膜する工程(C)とを順次実施する。この強誘電体素子を用いた強誘電体キャパシタ及び強誘電体メモリ、また強誘電体素子を圧電素子として用いたインクジェット式記録装置を提供する。【選択図】図3
Claim (excerpt):
下部電極と強誘電体膜と上部電極との積層構造を有し、前記下部電極と前記上部電極とにより前記強誘電体膜に対して電界が印加される強誘電体素子の製造方法において、 Zrを含むシード層と前記下部電極とを順次成膜する工程(A)と、 前記シード層に含まれるZrを拡散させて、該元素を前記下部電極の表面に析出させる工程(B)と、 前記下部電極上に前記強誘電体膜を成膜する工程(C)とを順次有することを特徴とする強誘電体素子の製造方法。
IPC (8):
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/18 ,  B41J 2/16 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055
FI (6):
H01L27/10 444B ,  H01L41/08 J ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101Z ,  B41J3/04 103H ,  B41J3/04 103A
F-Term (32):
2C057AF51 ,  2C057AF93 ,  2C057AG44 ,  2C057AG92 ,  2C057AG93 ,  2C057AP14 ,  2C057AP51 ,  2C057AP90 ,  2C057BA04 ,  2C057BA14 ,  5F083AD21 ,  5F083FR02 ,  5F083FR03 ,  5F083GA27 ,  5F083GA29 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA16 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2) Cited by examiner (7)
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