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J-GLOBAL ID：200903058770371086

ビス(アルキルアミノフェニル)シクロヘキサン誘導体の製造方法

Inventor： 草野 重 ,  三木 鉄藏
Applicant, Patent owner： 保土谷化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001021715
Publication number (International publication number)：2002226441
Application date： Jan. 30, 2001
Publication date： Aug. 14, 2002
Summary：

【要約】【課題】 微細加工技術に適したレジスト材料の構成成分であるビス(アルキルアミノフェニル)シクロヘキサン誘導体を常圧で簡便に合成すること。【解決手段】 アルキルアミノベンゼン誘導体とシクロヘキサノン誘導体を酸性条件で尿素類を共存させて反応させる。さらに好ましくはアルコ-ル類も共存させる。

Claim (excerpt)：

アルキルアミノベンゼン誘導体とシクロヘキサノン誘導体の反応において、酸性条件下尿素類を共存させることを特徴とする下記一般式(1)【化1】(式中、R1、R3はそれぞれに独立したアルキル基を表し、R2、R4はそれぞれに独立したアルキル基、水素原子を表し、R5、R6、R7、R8はそれぞれに独立した水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシル基、置換アミノ基を表し、R7とR8は縮合環を形成してもよい)で表されるビス(アルキルアミノフェニル)シクロヘキサン誘導体の製造方法。

IPC (3)：

C07C209/68 ,  C07C211/54 ,  C07B 61/00 300

FI (3)：

C07C209/68 ,  C07C211/54 ,  C07B 61/00 300

F-Term (16)：

4H006AA02 ,  4H006AC25 ,  4H006AC52 ,  4H006BA28 ,  4H006BA36 ,  4H006BA52 ,  4H006BA66 ,  4H006BB14 ,  4H006BJ20 ,  4H006BJ50 ,  4H006BU32 ,  4H006BU46 ,  4H039CA19 ,  4H039CA41 ,  4H039CD10 ,  4H039CD40