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J-GLOBAL ID：200903058774065419

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
吉川 俊英

About 吉川 俊英


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000013283
Publication number (International publication number)：2001203215
Application date： Jan. 21, 2000
Publication date： Jul. 27, 2001
Summary：
【要約】【課題】 ガリウム砒素を使用した化合物半導体デバイスにおいて、ガリウム砒素膜と接合される薄膜の接合面近傍におけるキャリアの空乏化を抑止することにより、信頼性を向上させる。【解決手段】 積層膜中にガリウム砒素膜を有して構成されたヘテロバイポーラトランジスタであって、ガリウム砒素膜8と接合され、エミッタとして機能するインジウムガリウムリン(InGaP)膜7を有し、インジウムガリウムリン膜7がアンチモン(Sb)を含有させている。アンチモンの含有によって、ガリウム砒素膜8とインジウムガリウムリン膜7との界面近傍におけるキャリア濃度が低下することを抑止することができ、エミッタ抵抗を最小限に抑えることが可能となる。
Claim (excerpt)：
積層膜中にガリウム砒素膜を有して構成された半導体装置であって、前記ガリウム砒素膜と直接接合された薄膜を有し、前記薄膜がアンチモンを含有したインジウムガリウムリン膜であることを特徴とする半導体装置。
IPC (6)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812
FI (3)：
H01L 29/72 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/80 H
F-Term (34)：
5F003BA92 ,  5F003BB04 ,  5F003BE01 ,  5F003BE02 ,  5F003BE04 ,  5F003BE90 ,  5F003BF00 ,  5F003BF06 ,  5F003BH07 ,  5F003BH99 ,  5F003BM02 ,  5F003BM03 ,  5F003BP32 ,  5F003BP96 ,  5F003BZ03 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM06 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GN05 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT02 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC24
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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