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J-GLOBAL ID：200903058777158000

配線方法

Inventor： 下村 晃司
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 小杉 佳男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994061582
Publication number (International publication number)：1995273110
Application date： Mar. 30, 1994
Publication date： Oct. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】半導体装置の下地にダメージを与えることなく容易に除去できる臨時的な配線を行う。【構成】基板1上に導電性有機物配線材の膜2を真空蒸着により形成し、膜2の上に、レジスト3を塗布し、配線のパターニングを行い、レジスト3が溶解しない有機溶媒を用いて、膜2のエッチングを行う。レジスト3をアルカリ水溶液で除去すると配線4が残る。この配線4を用いて、一時的な検査を行う。検査後、配線4は溶剤で除去する。

Claim (excerpt)：

有機溶媒に可溶な導電性有機化合物を蒸着し又は塗布し、半導体素子の配線を形成することを特徴とする配線方法。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/82

FI (3)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/82 W ,  H01L 21/88 B