Pat

J-GLOBAL ID：200903058797507311

半導体装置の製造方法

Inventor： 岡本 九弘
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994239946
Publication number (International publication number)：1996107088
Application date： Oct. 04, 1994
Publication date： Apr. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】 個々のチップにダイシングされたウェーハが貼られたUVテープに紫外光を照射する際に, チップ表面の欠けの発生を防止する。【構成】 1)紫外光照射により粘着力が低減するUVテープ上にウェーハを貼り,該ウェーハをダイシングして個々のチップに分割し,該ウェーハの表面側を下に向けて該UVテープを保持し,該UVテープの上側より紫外光を照射する過程を有する,2)紫外光照射により粘着力が低減するUVテープ上にウェーハを貼り,該ウェーハをダイシングして個々のチップに分割し,該ウェーハの表面側を上に向け且つ該UVテープの下に紫外光透過板を敷いて該UVテープを保持し,該紫外光透過板の下側より紫外光を照射する過程を有する。

Claim (excerpt)：

紫外光照射により粘着力が低減するUVテープ上にウェーハを貼り,該ウェーハをダイシングして個々のチップに分割し,該ウェーハの表面側を下に向けて該UVテープを保持し,該UVテープの上側より紫外光を照射する過程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2)：

H01L 21/78 P ,  H01L 21/78 Q