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J-GLOBAL ID：200903058804167106

半導体装置の製造方法

Inventor： 桐原 信
Applicant, Patent owner： シチズン時計株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994278848
Publication number (International publication number)：1996139094
Application date： Nov. 14, 1994
Publication date： May. 31, 1996
Summary：

【要約】【構成】 半導体基板上に素子分離領域とゲート酸化膜を形成し、高濃度拡散領域とゲート電極を接続孔を有する層間絶縁膜を介して配線で接続し、シリコンナイトライドからなる第1の保護膜とポリイミドの第2の保護膜を形成し、引き出引き出し電極の上部にアルミニウム、クロム、銅からなる積層電極を形成し、積層電極上部に銅電極8と突起電極11を形成する工程とを備える。【効果】 引き出し電極がアルミニウムよりも堅い銅で覆われているため、検査工程で、測定針による引き出し電極の変形を防ぐと同時に、突起電極の変形を防止し、さらに突起電極が引き出し電極の上部以外に形成されることも防ぐことが可能となり、半導体装置を確実に回路基板に実装することができ、生産性が向上する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に素子分離領域を形成する工程と、ゲート酸化膜とゲート電極とを形成し、ゲート電極と素子分離領域との整合する領域に高濃度拡散領域を形成する工程と、層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜に接続穴を形成する工程と、配線を形成し、引き出し電極上部に積層電極を形成する工程と、積層電極上部に突起電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/3205

FI (4)：

H01L 21/92 604 T ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 604 B ,  H01L 21/92 604 N