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J-GLOBAL ID：200903058804631040

プラズマ処理装置

Inventor： 西森 康博 ,  近藤 一喜 ,  谷口 道夫
Applicant, Patent owner： 株式会社ダイヘン
Agent (1)： 青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992134849
Publication number (International publication number)：1993335277
Application date： May. 27, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 処理すべき試料の表面に対して従来例に比較して均一にかつ安定に高い密度のプラズマを照射することができ、しかも小型・軽量化することができるプラズマ処理装置を提供する。【構成】 内部が真空状態に設定されたプラズマ処理室10内でプラズマを発生させて試料に対して所定の処理を行うプラズマ処理装置において、上記プラズマ処理室の内部に所定の角速度で回転する回転電界Eを発生する電界発生装置と、上記プラズマ処理室の内部に上記回転電界Eの方向と垂直な方向に磁界Bを発生する磁界発生装置とを備える。

Claim (excerpt)：

内部が真空状態に設定されたプラズマ処理室内でプラズマを発生させて試料に対して所定の処理を行うプラズマ処理装置において、上記プラズマ処理室の内部に所定の角速度で回転する回転電界を発生する電界発生手段と、上記プラズマ処理室の内部に上記回転電界の方向と垂直な方向に磁界を発生する磁界発生手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  B01J 19/08 ,  C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• プラズマ発生方法およびその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-072653   Applicant：松下電器産業株式会社