Pat
J-GLOBAL ID：200903058806740075
SOIウエーハの製造方法およびSOIウエーハ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998228688
Publication number (International publication number)：2000049063
Application date： Jul. 29, 1998
Publication date： Feb. 18, 2000
Summary：
【要約】【課題】 デバイス工程の歩留まりを向上させるSOIウエーハの製造方法を提供する。【解決手段】 ボンドウエーハとして、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の成長速度を0.6mm/min以上として引き上げ、含有酸素濃度が16ppma以下のCOPが高密度に存在するシリコン単結晶棒を成長し、該シリコン単結晶棒をシリコンウエーハに加工し、該シリコンウエーハに還元性雰囲気中の熱処理を加えたものを用いるSOIウエーハの製造方法。この方法で製造されたSOIウエーハ。
Claim (excerpt)：
チョクラルスキー法によるシリコン単結晶からSOI層を形成するボンドウエーハを作製し、該ボンドウエーハと支持基板となるベースウエーハとを酸化膜を介して結合して、その後ボンドウエーハの薄膜化を行うSOIウエーハの製造方法において、前記ボンドウエーハとして、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の成長速度を0.6mm/min以上として引き上げ、含有酸素濃度が16ppma以下のCOPが高密度に存在するシリコン単結晶棒を成長し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコンウエーハに加工し、該シリコンウエーハに還元性雰囲気中の熱処理を加えたものを用いることを特徴とするSOIウエーハの製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/02 B
, C30B 29/06 A
4G077AA02
, 4G077AA03
, 4G077BB03
, 4G077CF00
, 4G077EB06
, 4G077EH09
, 4G077FB05
, 4G077FE05
, 4G077FF01
, 4G077FF07
Cited by examiner (2)
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SOI基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-020862
Applicant：新日本製鐵株式会社
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貼合せSOIとその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-250155
Applicant：コマツ電子金属株式会社
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