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J-GLOBAL ID：200903058810148202

半導体発光素子

Inventor： 奥山 浩之
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998193287
Publication number (International publication number)：2000031590
Application date： Jul. 08, 1998
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 活性層に歪みがなく、活性層とクラッド層とのバンドギャップ差が大きい半導体発光素子を提供する。【解決手段】 n型GaAsよりなる基板1の上にn型クラッド層5,第1のガイド層6,活性層7,第2のガイド層8,p型クラッド層9を順次積層する。n型クラッド層5,p型クラッド層9はZnMgSSe混晶により、第1のガイド層6,第2のガイド層8はZnSSe混晶により、活性層7はAlGaAs混晶によりそれぞれ構成する。III-V族化合物半導体はII-VI族化合物半導体に比べてバンドギャップが小さいので、n型クラッド層5,p型クラッド層9と活性層7とのバンドギャップ差を大きくでき、オバーフロー電流を抑制できる。また、活性層7は基板1に格子整合させる。よって、活性層7の結晶性を向上させることができ、特性を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

亜鉛(Zn),マグネシウム(Mg),カドミウム(Cd),ベリリウム(Be),マンガン(Mn)および水銀(Hg)からなる群のうちの少なくとも1種のII族元素と、酸素(O),硫黄(S),セレン(Se)およびテルル(Te)からなる群のうちの少なくとも1種のVI族元素とを含むII-VI族化合物半導体よりそれぞれなる第1導電型クラッド層および第2導電型クラッド層と、これら第1導電型クラッド層と第2導電型クラッド層との間に形成され、ホウ素(B),アルミニウム(Al),ガリウム(Ga)およびインジウム(In)からなる群のうちの少なくとも1種のIII族元素と、窒素(N),リン(P),ヒ素(As),アンチモン(Sb)およびビスマス(Bi)からなる群のうちの少なくとも1種のV族元素とを含むIII-V族化合物半導体よりなる活性層とを備えた半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 5/30 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

F-Term (26)：

5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA41 ,  5F041CA43 ,  5F041CA44 ,  5F041CA66 ,  5F041CB04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA55 ,  5F073AA73 ,  5F073AA75 ,  5F073CA07 ,  5F073CA14 ,  5F073CB02 ,  5F073CB06 ,  5F073CB10 ,  5F073EA06 ,  5F073EA07 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28