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J-GLOBAL ID：200903058814865766

高純度SiO2の製造方法および装置

Inventor： 徳丸 慎司 ,  近藤 次郎 ,  島田 春男 ,  平野 兼次
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 石田 敬 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001115773
Publication number (International publication number)：2002316814
Application date： Apr. 13, 2001
Publication date： Oct. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】 SiO固体またはSiO気体を用いて安価でかつ高純度のSiO2を製造する方法を提供する。【解決手段】 SiO固体を、1000°C以上1730°C以下の温度に加熱し、固体状態のSiOを液体または固体のSiと固体のSiO2に分解反応させ、生成したSiO2を、下部分のSiと分離した後、該SiO2を、さらに加熱して高純度化する。または、純化したSiO気体から、酸化性気体により高純度のSiO2を得る。本発明によれば、SiO2の光透過性や粘性などに影響を与えるOH、Cl、金属成分などの不純物が除去され、不純物の総量が10ppm以下のSiO2を、光ファイバーなどの光学製品や半導体用高純度石英製品の原料として安価に供給することができる。

Claim (excerpt)：

SiO固体を、1000°C以上1730°C以下の温度に加熱し、固体状態のSiOを、液体または固体のSiと固体のSiO2に分解反応させ、生成したSiO2を、大部分のSiと分離した後、該SiO2を、さらに加熱することを特徴とする高純度SiO2の製造方法。

F-Term (7)：

4G072AA25 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH13 ,  4G072MM03 ,  4G072MM08 ,  4G072MM21