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J-GLOBAL ID：200903058814901991

プラズマCVD装置

Inventor： 大谷 聡 ,  村上 浩 ,  桐村 浩哉
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社
Agent (1)： 山本 惠二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993071213
Publication number (International publication number)：1994260434
Application date： Mar. 04, 1993
Publication date： Sep. 16, 1994
Summary：

【要約】【目的】 基板表面および膜表面へのダメージの軽減、膜の組成比の制御、プラズマの安定性の向上、成膜速度の向上および基板に付着するパーティクルの抑制を可能にしたプラズマCVD装置を提供する。【構成】 高周波電極8とホルダ兼電極18との間に、多数の貫通孔32と下面に多数のガス噴出孔34とを有する中間電極30を設け、この中間電極30と高周波電極8との間に高周波電源24から高周波電力を供給するようにした。また、排気口6をホルダ兼電極18の裏側に位置するように設けた。そして、高周波電極8内に、原料ガスを除く全てのガス46を導入してそれをガス噴出孔10から噴出させ、かつ中間電極30内に、原料ガスまたはそれと希釈ガスとの混合ガス40を導入してそれをガス噴出孔34から噴出させるようにした。

Claim (excerpt)：

真空排気される真空容器と、この真空容器内に収納されていて、内部にガスが導入されかつ下面にそのガスを噴出させる多数のガス噴出孔を有する高周波電極と、前記真空容器内に高周波電極に対向するように収納されていて、基板を載せるホルダを兼ねるホルダ兼電極とを備えるプラズマCVD装置において、内部にガスが導入されるものであって、上下に貫通している多数の貫通孔と前記ホルダ兼電極側の面に当該ガスを噴出させる多数のガス噴出孔とを有する中間電極を、前記高周波電極とホルダ兼電極との間に、両電極間の空間を仕切るように設け、この中間電極と高周波電極との間に高周波電力を供給するようにし、しかも前記真空容器内を真空排気するための排気口を前記ホルダ兼電極の裏側に位置するように設け、かつ前記高周波電極内に、膜を形成する原料となる原料ガスを除く全てのガスを導入してそれを当該電極のガス噴出孔から噴出させ、かつ前記中間電極内に、原料ガスまたはそれと希釈ガスとの混合ガスを導入してそれを当該電極のガス噴出孔から噴出させるようにしたことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/44

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-174382
  
• 特開昭53-091665