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J-GLOBAL ID：200903058819829717

半導体発光装置

Inventor： 鈴木 真理子 ,  板谷 和彦 ,  菅原 秀人 ,  岡島 正季
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993234766
Publication number (International publication number)：1995094780
Application date： Sep. 21, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 InGaAlP系材料を用いても、高Al組成InGaAlPの低抵抗p型層を実現し、かつ良好な表面モホロジー及びヒロック密度を実現することができ、素子特性の向上及び製造歩留まりの向上をはかり得る半導体発光装置を提供すること。【構成】 In1-y (Ga1-x Alx )y Pからなり、活性層15をp型クラッド層16及びn型クラッド層14で挟んだダブルヘテロ構造部を有する半導体発光装置において、p型クラッド層16のAl混晶比xをx≧0.75とし、p型クラッド層16の酸素濃度を2×1017cm-3以下に設定してなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

In1-y (Ga1-x Alx )y Pからなり、活性層をp型クラッド層及びn型クラッド層で挟んだダブルヘテロ構造部を有する半導体発光装置において、前記p型クラッド層のAl混晶比xをx≧0.75とし、前記p型クラッド層の酸素濃度を2×1017cm-3以下に設定してなることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/205