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J-GLOBAL ID:200903058830020717
金属微粒子配列シート
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
下田 昭
, 赤尾 謙一郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004303625
Publication number (International publication number):2006088310
Application date: Oct. 19, 2004
Publication date: Apr. 06, 2006
Summary:
【課題】 10nm以下の金属ドットを配列させたシリコンウエハなど基板及びこのような基板を生産性よく形成させる手段を提供する。 【解決手段】 表面に、径が3〜15nmの略円形の疎水性又は親水性の領域を10〜50nmの間隔で多数有するミクロ相分離膜上の該略円形領域に、金属微粒子含有球状ミセルを配置させてなる金属微粒子配列シートである。この金属ドットを配列させた基板は、単一電子トランジスタや単一電子メモリ-のような単一電子トンネル果を利用した量子素子に用いることができる。 【選択図】 なし
Claim (excerpt):
表面に、径が3〜15nmの略円形の疎水性又は親水性の領域を10〜50nmの間隔で多数有するミクロ相分離膜上の該略円形領域に、金属微粒子含有球状ミセルを配置させてなる金属微粒子配列シートであって、該金属微粒子含有球状ミセルが、径が1〜5nmの金属微粒子を有機配位子で覆ったコアシェル型球状ミセルであり、前記ミクロ相分離膜上の略円形の領域が親水性の場合には親水性基、前記ミクロ相分離膜上の略円形の領域が疎水性の場合には疎水性基が外側に露出した球状ミセルである、金属微粒子配列シート。
IPC (6):
B82B 1/00
, B32B 5/16
, B32B 15/08
, B82B 3/00
, H01L 29/06
, H01L 29/66
FI (6):
B82B1/00
, B32B5/16
, B32B15/08 D
, B82B3/00
, H01L29/06 601D
, H01L29/66 S
F-Term (11):
4F100AB01A
, 4F100AB25
, 4F100AK25A
, 4F100AK54A
, 4F100AL02A
, 4F100AT00B
, 4F100DE01A
, 4F100GB41
, 4F100JA07A
, 4F100JB05A
, 4F100JB06A
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (5)
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