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J-GLOBAL ID：200903058830190310
光電変換素子およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999316817
Publication number (International publication number)：2001135834
Application date： Nov. 08, 1999
Publication date： May. 18, 2001
Summary：
【要約】【課題】 変換効率の高い光電変換素子およびそれを簡単な工程で製造することができる方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1にPN接合が形成され、基板1の裏面にP側電流収集電極9およびN側電流収集電極10が形成された光電変換素子において、半導体基板1の中心部より周囲部の方が深いPN接合を有することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体基板にPN接合が形成され、前記基板の裏面にP側電流収集電極およびN側電流収集電極が形成された光電変換素子において、前記半導体基板の中心部より周辺部の方が深いPN接合を有することを特徴とする、光電変換素子。
F-Term (11)：
5F051AA02
, 5F051CB27
, 5F051DA03
, 5F051FA13
, 5F051FA14
, 5F051FA15
, 5F051FA16
, 5F051FA17
, 5F051FA19
, 5F051FA24
, 5F051GA04
