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J-GLOBAL ID：200903058860387887

III-V族化合物半導体のN-ドーピング半導体層上にオーム接触部を形成する方法

Inventor： ヨツヘン ゲルナー ,  ヴエルナー シヤイラー
Applicant, Patent owner： テレフンケン エレクトロニク ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992107267
Publication number (International publication number)：1993121353
Application date： Apr. 27, 1992
Publication date： May. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 低い接触抵抗および可視スペクトル領域および近赤外部の光線に対し高い反射率を有する、III-V族化合物半導体のN-ドーピング半導体層上にオーム接触部を形成する。【構成】 N型のIII-V族化合物半導体上にAuGe層を形成し、その際AuGe層の厚さは5〜50nmであり、ゲルマニウム濃度は1重量%以下である。AuGe層上に、厚さが200〜600nmであるAu層を設ける。この積層体を、温度約360〜390°Cで40〜180分間焼もどすかまたは温度430〜480°Cで5〜20秒間急速熱焼なましによってひずみ取りする。【効果】 この金属半導体接触部は、殊に赤外光または可視光を放出する半導体発光ダイオード用の全面の背面接触部として適当である。

Claim (excerpt)：

半導体層(1)上にAuGeからなる第1金属層(2)を分離し、その際第1金属層(2)のGe含量は1重量%を上廻らず、第1金属層(2)上にAuからなる第2金属層(3)を分離し、積層体を360〜390°Cで40〜180分間焼もどすことを特徴とするIII-V族化合物半導体のN-ドーピング半導体層上にオーム接触部を形成する方法。

IPC (2)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭59-124126
  
• 特開昭62-079618
  
• 特開昭59-002380
  
• 特開平1-175723
  
• 特開平2-079435