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J-GLOBAL ID：200903058864452039

有機薄膜トランジスタ素子とその製造方法

Inventor： 中村 真一 ,  水谷 英正 ,  羽生 由紀夫
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 西山 恵三 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002046362
Publication number (International publication number)：2003249656
Application date： Feb. 22, 2002
Publication date： Sep. 05, 2003
Summary：

【要約】【課題】 有機化合物半導体膜を用いた薄膜トランジスタをに関して、電流密度を上げるためにチャネル長を狭くする構成を提供した。【解決手段】 基板上に形成したゲート電極及びゲート絶縁膜に対して、有機化合物半導体膜が斜めに接触している構造を特徴としている。これによってソース、ドレイン電極間にできるチャネル長は有機化合物半導体膜の厚みと傾斜角によって自由に変更可能である。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に配置されたソース電極、ドレイン電極及びゲート電極の3つの電極と、ゲート絶縁膜及び有機物からなる有機化合物半導体層とで構成された有機薄膜トランジスタ素子であって、前記有機化合物半導体層とゲート絶縁層とが角度がθ(0°<θ<90°)で接触する積層構造を有する有機薄膜トランジスタ素子。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 51/00

FI (8)：

H01L 21/28 301 B ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 29/78 626 A ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 617 M ,  H01L 29/28

F-Term (82)：

4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB19 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD32 ,  4M104DD34 ,  4M104DD35 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104FF06 ,  4M104GG08 ,  4M104GG20 ,  4M104HH20 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC09 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE22 ,  5F110EE41 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF21 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK31 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HM02 ,  5F110HM12 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ06