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J-GLOBAL ID：200903058864588615

シリコン膜の形成方法及び太陽電池の製造方法

Inventor： 高寺 勉 ,  福山 恵一 ,  清水 正文
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 岡田 和秀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998174268
Publication number (International publication number)：2000012465
Application date： Jun. 22, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】特性の優れたシリコン膜および太陽電池を、安価に製造する。【解決手段】ガラス基板Bの膜形成面の面積と同等もしくはそれ以上の大きさを有するガス吹き出し口4aに対して、ガラス基板Bをその膜形成面を対向させて配置したうえで、高次シランを主成分とするガスをガス吹き出し口aから膜形成面に向けて吹き付けてシリコン膜を形成する。

Claim (excerpt)：

シリコン膜被形成体の膜形成面の面積と同等もしくはそれ以上の大きさを有するガス吹き出し口に対して、シリコン膜被形成体をその膜形成面を対向させて配置する工程と、高次シランを主成分とするガスを前記ガス吹き出し口から前記膜形成面に向けて吹き付け、吹き付けたガスを前記膜形成面上で分解させてシリコン膜を形成する工程と、を含むことを特徴とするシリコン膜の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C01B 33/02 ,  C23C 16/24 ,  H01L 31/04

FI (4)：

H01L 21/205 ,  C01B 33/02 D ,  C23C 16/24 ,  H01L 31/04 X

F-Term (61)：

4G072AA01 ,  4G072AA02 ,  4G072BB09 ,  4G072BB13 ,  4G072FF01 ,  4G072FF02 ,  4G072FF04 ,  4G072FF07 ,  4G072GG03 ,  4G072HH03 ,  4G072JJ25 ,  4G072JJ44 ,  4G072LL11 ,  4G072LL13 ,  4G072MM01 ,  4G072NN21 ,  4G072RR01 ,  4G072UU02 ,  4K030AA05 ,  4K030BA29 ,  4K030BA30 ,  4K030BA55 ,  4K030BA56 ,  4K030BB05 ,  4K030CA01 ,  4K030CA05 ,  4K030CA06 ,  4K030CA07 ,  4K030CA17 ,  4K030HA15 ,  4K030KA23 ,  4K030KA25 ,  4K030LA16 ,  5F045AA06 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045AD07 ,  5F045AE23 ,  5F045AF03 ,  5F045AF07 ,  5F045AF10 ,  5F045BB02 ,  5F045BB08 ,  5F045BB14 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045DP05 ,  5F045DP11 ,  5F045EB20 ,  5F045EF05 ,  5F045EK07 ,  5F051AA03 ,  5F051AA05 ,  5F051CA06 ,  5F051CA07 ,  5F051CA20 ,  5F051CA24 ,  5F051DA04 ,  5F051GA03