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J-GLOBAL ID：200903058870662517
シリコン単結晶の製造方法および製造装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
八田 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993094483
Publication number (International publication number)：1994305880
Application date： Apr. 21, 1993
Publication date： Nov. 01, 1994
Summary：
【要約】【目的】 点欠陥密度の小さな高品質シリコン単結晶を得る。【構成】 坩堝中の融液からシリコン単結晶を引上げるシリコン単結晶の製造方法において、融液界面16から凝固界面15が育成単結晶インゴット10側に膨み、その融液界面16からの最大突出量hが15mmを越えるものとなるように制御して単結晶を育成する。
Claim (excerpt)：
坩堝中の融液からシリコン単結晶を引上げるシリコン単結晶の製造方法において、融液界面から凝固界面が育成単結晶インゴット側に膨み、その融液界面からの最大突出量が15mmを越えるものとなるように制御して単結晶を育成することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (3)：
C30B 15/22
, C30B 29/06 502
, H01L 21/208
