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J-GLOBAL ID：200903058873257834

半導体装置の製造方法

Inventor：
北川 勝彦

About 北川 勝彦


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998077131
Publication number (International publication number)：1999274160
Application date： Mar. 25, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：
【要約】【課題】 順テーパー形状を有する金属配線を形成する。【解決手段】 絶縁膜11上に形成した金属配線用膜上にハードマスクを形成し、該ハードマスクをホトレジスト膜17をマスクにして等方性エッチングして、該ホトレジスト膜17下までサイドエッチングされたハードマスク16Aを形成する。そして、前記ホトレジスト膜17及びハードマスク16Aをマスクにして金属配線用膜を異方性エッチングしてエッチングの初期では該ホトレジスト膜17形状に基づいてエッチングし、エッチングの進行に伴なってハードマスク16A形状に基づいてエッチングを行うことで、順テーパー形状の金属配線15Aを形成するものである。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に絶縁膜及び金属膜を形成し、該金属膜をホトレジスト膜を介してパターニングして成る金属配線を有する半導体装置の製造方法において、前記金属膜上にハードマスクを形成する工程と、前記ハードマスク上にホトレジスト膜を形成した後に該ホトレジスト膜をマスクにして該ハードマスクを等方性エッチングして該ホトレジスト膜下までサイドエッチングする工程と、前記ホトレジスト膜及びハードマスクをマスクにして金属膜を異方性エッチングしてエッチングの初期では該ホトレジスト膜形状に基づいてエッチングし、エッチングの進行に伴なってハードマスク形状に基づいてエッチングを行うことで断面が順テーパー形状と成る金属配線を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/3213 ,  H01L 21/3065
FI (2)：
H01L 21/88 D ,  H01L 21/302 J
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 特開昭61-077344
  • 特開昭63-304629
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-330416   Applicant：株式会社東芝
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Cited by examiner (4)
  • 特開昭61-077344
  • 特開昭63-304629
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-330416   Applicant：株式会社東芝
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