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J-GLOBAL ID：200903058877526139

半導体搭載用放熱基板材料、その製造方法、及びそれを用いたセラミックパッケージ

Inventor： 長田 光生 ,  平山 典男 ,  有川 正 ,  天野 良成 ,  前里 英俊 ,  林 秀史 ,  村井 洋
Applicant, Patent owner： 株式会社アライドマテリアル
Agent (1)： 後藤 洋介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000372405
Publication number (International publication number)：2001358266
Application date： Dec. 07, 2000
Publication date： Dec. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】 熱伝導率がCMCクラッド材より勝れ、且つ容易に打ち抜きプレスにて加工出来るセラミックパッケージの放熱基板として半導体搭載用放熱基板と、銅クラッド型半導体搭載用放熱基板と、それらの製造方法と、それを用いたセラミックパッケージとその製造方法とを提供すること。【解決手段】 半導体搭載用放熱基板材料は、モリブデン圧粉体の粉末間の空隙に、溶融した銅を含有浸透したモリブデンと銅との複合体を圧延した銅-モリブデン複合圧延体であって、板材の最終圧延方向において、30〜800°Cの線膨張係数が8.3×10-6/K以下である。

Claim (excerpt)：

モリブデン圧粉体の粉末間の空隙に、溶融した銅を含有浸透したモリブデンと銅との複合体を圧延した銅-モリブデン複合圧延体であって、板材の最終圧延方向において、30〜800°Cの線膨張係数が8.3×10-6/K以下であることを特徴とする半導体搭載用放熱基板材料。

IPC (3)：

H01L 23/373 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/36

FI (3)：

H01L 23/36 M ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/36 C

F-Term (5)：

5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB01 ,  5F036BB08 ,  5F036BD01