Pat

J-GLOBAL ID：200903058889242306

高耐圧炭化珪素ショットキ-・ダイオ-ド

Inventor： 舟木 英之
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993051835
Publication number (International publication number)：1994268202
Application date： Mar. 12, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ショットキ-電極のエッジ部分に電界が集中するという問題を解決した高耐圧炭化珪素ショットキ-・ダイオ-ドを提供することを目的とする。【構成】 炭化珪素基板と、この炭化珪素基板上に形成された第1導電型の炭化珪素からなる活性層と、この活性層上に形成された開口部を有する絶縁膜と、開口部から露出する活性層上に形成されたショットキ-電極とを具備し、ショットキ-電極は、活性層とショットキ-接合を形成するとともに、ショットキ-電極の端部は、絶縁膜上に存在することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

炭化珪素基板と、この炭化珪素基板上に形成された第1導電型の炭化珪素からなる活性層と、この活性層上に形成された開口部を有する絶縁膜と、前記開口部から露出する活性層上に形成されたショットキ-電極とを具備し、前記ショットキ-電極は、前記活性層とショットキ-接合を形成するとともに、前記ショットキ-電極の端部は、前記絶縁膜上に存在することを特徴とする高耐圧炭化珪素ショットキ-・ダイオ-ド。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-281757
  
• 特開平2-264475
  
• 特開昭54-080688