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J-GLOBAL ID：200903058904700120

パワー半導体モジュール

Inventor： 大井 健史 ,  武藤 浩隆 ,  菊永 敏之 ,  高橋 貢 ,  木ノ内 伸一 ,  堀口 剛司 ,  碓井 修 ,  奥田 達也
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998344360
Publication number (International publication number)：2000171491
Application date： Dec. 03, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：

【要約】【課題】 電流検出精度が高く、ノイズや設置スペースの問題が生じることのない電流センサを備えたパワー半導体モジュールを得る。【解決手段】 モジュールケース内に収納されたパワー半導体チップ1は、導電性樹脂12を介して電気的に接続された複数の導電性部材9、11と、導電性部材の少なくとも1つに設けられた電流センサ13と、電流センサの検出信号の出力レベルに応じて、パワー半導体チップのゲート電圧を制御する制御回路とを備えた。

Claim (excerpt)：

モジュールケース内にパワー半導体チップが収納されたパワー半導体モジュールにおいて、導電性樹脂を介して電気的に接続された複数の導電性部材と、前記導電性部材の少なくとも1つに設けられた電流センサと、前記電流センサの検出信号の出力レベルに応じて、前記パワー半導体チップのゲート電圧を制御する制御回路とを備えたことを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (5)：

G01R 15/18 ,  G01R 15/20 ,  G01R 19/00 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (4)：

G01R 15/02 G ,  G01R 19/00 B ,  G01R 15/02 B ,  H01L 25/04 C

F-Term (12)：

2G025AA01 ,  2G025AA05 ,  2G025AA07 ,  2G025AB02 ,  2G025AB14 ,  2G035AA16 ,  2G035AA27 ,  2G035AC00 ,  2G035AD00 ,  2G035AD18 ,  2G035AD56 ,  2G035AD66