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J-GLOBAL ID：200903058928952456

銅または銅合金の低温拡散接合方法およびそれを用いた導電ペーストおよび多層配線基板の製造方法

Inventor： 長谷川 洋 ,  長澤 雅浩 ,  塚本 勝秀
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993134404
Publication number (International publication number)：1994262375
Application date： Jun. 04, 1993
Publication date： Sep. 20, 1994
Summary：

【要約】【目的】 低温度で銅またはその合金同士を接合することができ、さらに、この原理を応用して簡便な工法を使用しつつ、電気特性に優れた多層配線基板の製造方法を提供する。【構成】 少なくとも一方が銅または銅合金表面に貴金属薄膜層、酸化膜除去剤層または銅またはそれらの合金からなる導電性粉末と活性剤とを主たる構成要素とする導電ペースト層を設けた金属同士を170度以上の温度で加熱加圧することにより金属同士を接合する。さらにこの接続原理を応用して、絶縁性接着層1の所定の部分に開けた孔2に貴金属、銅またはそれらの合金からなる導電性粉末と活性剤とを主たる構成要素とする導電ペースト3を刷り込んだ後、銅箔5、5’で絶縁性接着層1を挟み、170°C以上の温度で加熱プレスして多層配線基板を製造する。

Claim (excerpt)：

少なくとも一方が銅または銅合金である金属の接合面を接合界面における銅原子の拡散により接合させるに当たり、銅または銅合金である金属の接合面に貴金属薄膜層、酸化膜除去剤塗布層または銅またはその合金粉末と酸化膜除去剤とを主成分とする導電ペースト層のいずれかを形成して後、接合面を重ね合わせ、170°C以上に加熱、加圧して接合することを特徴とする銅または銅合金の低温拡散接合方法。

IPC (7)：

B23K 20/00 310 ,  B23K 20/00 ,  H01B 1/22 ,  H05K 1/09 ,  H05K 3/32 ,  H05K 3/40 ,  H05K 3/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭55-055600
  
• 特開平2-066803
  
• 特開平4-096293
  
• 特開平4-159797