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J-GLOBAL ID：200903058932534049

フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ-ン形成方法、および、半導体素子。

Inventor： 李 根守 ,  高 次元 ,  鄭 載昌 ,  鄭 ▲みん▼鎬 ,  白 基鎬
Applicant, Patent owner： 現代電子産業株式会社
Agent (1)： 荒船 博司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999238931
Publication number (International publication number)：2000086726
Application date： Aug. 25, 1999
Publication date： Mar. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】遠紫外線(DUV)領域の光源を利用したフォトリソグラフィー工程で使用可能なフォトレジスト単量体と、これを用いたフォトレジスト共重合体、及び、フォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】下記(1)で示されるフォトレジスト単量体、及び、これを含むフォトレジスト共重合体である。【化1】前記式で、Rは、C1-C10の置換または非置換された直鎖または側鎖アルキルか、C1-C10の置換または非置換されたエーテルか、C1-C10の置換または非置換されたエステル、或いは、C1-C10の置換または非置換されたケトンであり、X及びYは、それぞれCH2、CH2CH2、酸素、または硫黄であり、iは0以上2以下のある定数である。

Claim (excerpt)：

下記式(1)で示されることを特徴とするフォトレジスト単量体。【化1】(前記式で、Rは、C1-C10の置換または非置換された直鎖または側鎖アルキルか、C1-C10の置換または非置換されたエーテルか、C1-C10の置換または非置換されたエステル、或いは、C1-C10の置換または非置換されたケトンであり、X及びYは、それぞれCH2、CH2CH2、酸素、または硫黄であり、iは0以上2以下のある定数である。)

IPC (2)：

C08F 32/00 ,  G03F 7/039 601

FI (2)：

C08F 32/00 ,  G03F 7/039 601

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ネガ型フォトレジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-022168   Applicant：富士写真フイルム株式会社