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J-GLOBAL ID：200903058932900665
薄膜トランジスタおよびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993334130
Publication number (International publication number)：1995202209
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：
【要約】【目的】 多結晶シリコン薄膜トランジスタにおいて、アルカリ金属、重金属などの混入によるデバイス駆動安定性の低下を抑制することを目的とする。【構成】 pチャネル部分ソース、ドレイン電極多結晶シリコン膜3にBイオン6を注入し、引き続いてPイオン5を注入する。続いて非晶質シリコン膜8を形成し、この非晶質シリコン膜にXeClエキシマレーザ光9を照射して多結晶シリコン膜10を形成する。このエキシマレーザアニールの工程において、シリコンの温度が高温に達するためチャネル層付近に存在する不純物はソース、ドレイン領域まで移動し、ソース、ドレインのPおよびBにゲッタされる。本発明ではBに加えてさらにゲッタリング能力の高いPを注入しているため、pチャネルトランジスタにおいてもnチャネルトランジスタと同程度のゲッタリング能力を持たせることができる。
Claim (excerpt)：
不純物を含む多結晶シリコン薄膜からなるソース、ドレインと、エキシマレーザアニールによる活性層多結晶シリコン薄膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極からなる多結晶シリコン薄膜トランジスタにおいて、pチャネルトランジスタのソース、ドレイン用多結晶シリコン膜にボロンとリンが含まれていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (4)：
H01L 29/786
, H01L 21/268
, H01L 21/322
, H01L 21/336
H01L 29/78 311 C
, H01L 29/78 311 P
, H01L 29/78 311 Y
