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J-GLOBAL ID：200903058938033645

半導体装置

Inventor： 湯次 達之 ,  里 真一
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991314992
Publication number (International publication number)：1993152540
Application date： Nov. 28, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】【構成】 1トランジスタ12と1キャパシタ13とから構成されてなる半導体装置において、トランジスタ12及びキャパシタ13が半導体基板1表面に形成された絶縁膜2上に形成され、さらにトランジスタ12がTFT(thin film transistor)として形成され、キャパシタ13がスタック型に配設されている半導体装置。【効果】 キャパシタ13は半導体基板1内に生じるα線による不要な少数キャリアによる誤動作、データ破壊及びソフトエラーを防止することができる。それとともに、半導体基板1上に形成された絶縁膜2により、隣接するメモリセルがそれぞれ電気的に分離されて、キャパシタ13から半導体基板1内に延びる不要な空乏層の結合に起因するリーク電流を防止することができる。

Claim (excerpt)：

1トランジスタと1キャパシタとから構成されてなる半導体装置において、前記トランジスタ及び前記キャパシタが半導体基板表面に形成された絶縁膜上に配設され、さらに前記トランジスタがTFT(thin filmtransistor)として形成され、前記キャパシタがスタック型に配設されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/108 ,  H01L 29/784

FI (2)：

H01L 27/10 325 L ,  H01L 29/78 311 C