Pat
J-GLOBAL ID：200903058940065236
薄膜形成装置および薄膜形成方法
Inventor：
,
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
工業技術院大阪工業技術研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995347430
Publication number (International publication number)：1997165673
Application date： Dec. 13, 1995
Publication date： Jun. 24, 1997
Summary：
【要約】【課題】真空アーク蒸着法による薄膜形成に際して、原料微粒子を含まない薄膜を形成しうる新たな技術を提供することを主な目的とする。【解決手段】1.カソードとしてのターゲット材料の周囲に円筒状のアノードを配置し、カソード近辺にトリガ電極を配置し、トリガ放電により発生するカソードスポットとアノード間でパルス放電を行うための主放電電源としてコンデンサを備えたことを特徴とする薄膜形成装置。2.カソードとしてのターゲット材料の周囲に円筒状のアノードを配置し、カソード近辺にトリガ電極を配置してなる薄膜形成装置を使用して、トリガ電極とターゲット材料との間に高電圧パルスを加えてトリガ放電させた後、ターゲット材料上に発生するカソードスポットとアノードとの間での主放電により発生した電子およびイオンを基板方向に加速移動させて基板上に金属薄膜を形成させることを特徴とする薄膜形成方法。
Claim (excerpt)：
カソードとしてのターゲット材料の周囲に円筒状のアノードを配置し、カソード近辺にトリガ電極を配置し、トリガ放電により発生するカソードスポットとアノード間でパルス放電を行うための主放電電源としてコンデンサを備えたことを特徴とする薄膜形成装置。
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
