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J-GLOBAL ID：200903058960465524

粗面ポリシリコン膜の形成方法

Inventor： 本川 洋右
Applicant, Patent owner： 宮崎沖電気株式会社 ,  沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995015638
Publication number (International publication number)：1996213554
Application date： Feb. 02, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】 粗面ポリシリコン膜の容易な形成方法の提供。【構成】 開口部14および層間絶縁膜12上に、耐プラズマ性、耐熱性の低いポジレジストからなるポジレジスト膜16を形成する。次に、このポジレジスト膜16に対して高パワーRIEを行う。その結果、ポジレジスト膜16の表面16aに凹凸18を形成することができる。次に、凹凸18が生じたポジレジスト膜16および層間絶縁膜12に対してエッチングを行う。その結果、層間絶縁膜12の主表面12aに凹凸20を形成することができる。残存するこのポジレジスト膜16を除去した後、層間絶縁膜12の主表面12a上に、LPCVD法を用いてポリシリコンを堆積することにより、粗面ポリシリコン膜22を形成する。

Claim (excerpt)：

下地上に、ポジレジスト膜を形成する工程と、該ポジレジスト膜に対してリアクティブイオンエッチング(RIE)を行うことにより、当該ポジレジスト膜の表面に凹凸を生じさせる工程と、凹凸が生じた該ポジレジスト膜および該下地に対してエッチングを行うことにより、当該下地の主表面に凹凸を形成する工程と、該下地の主表面に凹凸を形成した後、残存する該ポジレジスト膜を除去する工程と、凹凸が形成された該下地の主表面上に、減圧CVD(LPCVD)法を用いてポリシリコンを堆積することにより、粗面ポリシリコン膜を形成する工程とを含むことを特徴とする粗面ポリシリコン膜の形成方法。

IPC (5)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/32

FI (3)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/32