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J-GLOBAL ID：200903058973725797

薄膜の製造方法

Inventor： 波多野 吾紅 ,  泉谷 敏英 ,  大場 康夫
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992055962
Publication number (International publication number)：1993109636
Application date： Mar. 16, 1992
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 本発明は高品質の薄膜成長が可能となるような気相成長用原料を提供することを目的とする。【構成】 窒素を含む薄膜の気相成長製造にアジド基を含む有機金属化合物或いは、アジド基とIV族元素を含む化合物を用いることを特徴とする。また、前記アジド基を含む有機金属化合物或いは、アジド基とIV族元素を含む化合物がR3 MN3 (但しRはアルキル基、Mは金属或いはIV族元素)であることを特徴とする。【効果】 アジド基(-N=N=N)は直線状であり窒素原子を放しやすく、分解温度が低い。窒素の原料としてアジド基を有する有機金属化合物或いは、アジド基とIV族元素を含む化合物を用いることにより、結晶中への窒素の取り込まれを促進し良質のナイトランド層を得ることが可能になり、高品質の短波長発光素子またはパッシベーション膜が得られ、産業上の要求に十分応えられる。

Claim (excerpt)：

窒素を含む薄膜の気相成長を行うに当たり、アジド基を含む有機金属化合物或いはアジド基及びIV族元素を含む化合物を用いることを特徴とする薄膜の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭61-069969
  
• 特開昭60-219726