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J-GLOBAL ID：200903058989166887

半導体結晶の製造方法

Inventor： 酒井 士郎 ,  鳥取 悟
Applicant, Patent owner： 酒井 士郎
Agent (1)： 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999351614
Publication number (International publication number)：2000233993
Application date： Dec. 10, 1999
Publication date： Aug. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】 昇華法を用いた半導体結晶の製造方法において、成長速度の増大及び原料の変質を防ぐ。【解決手段】 反応容器1内に基板2及び原料4を対向配置する。原料ガスを導入し、基板2と原料4をヒータ7で加熱して原料を昇華させ、原料ガスと反応させて基板2上に半導体結晶を成長させる。基板2と原料4との間に障壁5を設け、障壁5の通気孔により原料ガスの原料4への流入を規制し、原料4の変質を抑制する。原料4としてGaNxHyを用い、原料ガスとしてアンモニアを用いることで、基板2上にGaN結晶を成長させることができる。

Claim (excerpt)：

基板を原料に対向配置し、前記原料を昇華させて原料ガス存在下において前記基板上に半導体結晶を成長させる半導体結晶の製造方法であって、前記基板と前記原料との間に障壁を設け、前記原料ガスの前記原料への流入量を規制しつつ前記原料を昇華させることを特徴とする半導体結晶の製造方法。

IPC (5)：

C30B 23/00 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (5)：

C30B 23/00 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323